湖南静芯申请具有NBL分段的双向可控硅静电防护器件结构及其制作方法专利，提高器件维持电压

金融界2025年5月13日消息，国家知识产权局信息显示，湖南静芯半导体科技有限公司申请一项名为“具有NBL分段的双向可控硅静电防护器件结构及其制作方法”的专利，公开号CN119967833A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明公开了一种NBL分段的双向可控硅静电防护器件结构，包括衬底P‑Sub；衬底P‑Sub中设有第一至第五NBL区；NBL区上方设有高压N型低掺杂NWHT区；NWHT区中设有第一和第二高压P型低掺杂PWHT区；第一PWHT区上方设有第一PW区；第二PWHT区上方设有第二PW区；第一PW区和第二PW区中间设有第一NW区；第一PW区中从左至右依次设有第一P+区、第一N+区、第二P+区；第一NW区中从左至右依次设有第二N+区、第三N+区；第二PW区中从左至右依次设有第三P+区、第四N+区、第四P+区。本发明构成了一种NBL分段的双向可控硅结构，通过对NWHT区下方的NBL进行分段，拉长了纵向寄生NPN三极管的电流路径，增加了可控硅路径上的寄生电阻和电压降，从而达到提高器件维持电压的目的。

天眼查资料显示，湖南静芯半导体科技有限公司，成立于2024年，位于长沙市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本200万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南静芯半导体科技有限公司专利信息8条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自金融界